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美国<span style='color:red'>半导体</span>关税最快7月底公布，税率或超25%！

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美国半导体关税最快7月底公布，税率或超25%！

　　当地时间7月8日，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，将在7月底或8月1日发布半导体关税税率决定。　　卢特尼克指出，美国特朗普总体说过，“如果没有在美国建厂，他们将面临高税率。但如果你正在美国建厂，他或许会考虑让你有时间建。我认为他在内阁会议中提到这点，让你们有时间去建，像是一年、一年半、或许两年的时间兴建，之后关税会高得多。但这些细节将在月底出炉，总统将最终敲定。”　　值得一提的是，卢特尼克还表示，商务部已完成对铜进口状况的调查。特朗普当天在白宫召开内阁会议时透露，将对所有进口到美国的铜征收50%的新关税。而铜是先进制程晶圆制造内部互联的关键材料。　　在今年4月14日，美国商务部下属部门工业与安全局(BIS)通过联邦公报官网宣布，根据《1962年贸易扩展法》第“232条款”赋予的权力，对进口半导体及其衍生产品、进口药品及药用成分发起国家安全调查，并征求公众意见。　　针对进口半导体及其衍生产品的调查，主要聚焦外国补贴、供应链依赖风险、美国国内产能瓶颈等14项调查细节，希望确定进口半导体及其衍生产品对美国国家安全的影响。其中包括半导体基板和裸晶圆、传统芯片、尖端芯片、微电子和SME组件等产品。衍生产品包括含有半导体的下游产品，例如构成电子供应链的产品。相关利益关系人可在5月7日结束调查前提交意见。　　目前，全球半导体产业界一直都在等待美国商务部的半导体进口国家安全调查的结果，担心结果可能会左右美国对半导体产品的关税税率。商务部长的任务是进行相关调查，并向总统提交调查结果和建议。美国总统必须在收到商务部长报告后的90天内，选择是否同意调查结果并做出决定。　　此前特朗普曾公开表态称，美国对于半导体关税的税率可能高达25%～100%。并且，新规则不排除以晶圆制造地(wafer out)作为源产地来加征关税。这也将对台积电、英特尔、三星、美光等晶圆制造厂商，以及英伟达、苹果、高通、联发科等依赖于圆代工产能的芯片设计厂商带来严重负面影响。　　因此，在今年5月下旬，台积电、英特尔、美光和高通等半导体巨头以及美国半导体行业协会(SIA)都向美国商务部工业和安全局(BIS)提交了意见评论，纷纷敦促美国总统特朗普谨慎对待半导体关税，并警告一旦施行广泛的关税，可能对美国半导体产业造成严重意外损害。　　比如，台积电就建议美国政府豁免现有的半导体投资、维持供应链准入、避免对终端产品征税、延长先进制造业投资抵免额，并建议美国政府应加速许可程序，以及进行人才培育合作。　　英特尔、美光等厂商则建议特朗普政府免除对进口半导体材料、设备的关税，以及免除基于美国知识产权在国外制造的产品的进口关税。他们认为，如果美国政府对半导体加征关税，可能会提高他们的生产成本，并给他们的海外业务带来困难。　　SIA也表示，在美国建造和运营半导体晶圆厂的总成本比亚洲高30~50%，加上在美国建造晶圆厂所需时间可能长达五年以上，显著慢于东亚。此外，美国产业在包括材料和设备方面严重依赖全球供应链，约60%的关键材料与设备在美国缺乏足够的本地供应。因此，确保持续且具成本竞争力的全球供应链进入对美国至关重要，再加上半导体技术构成AI 系统的运算、存储和网络基础，关税的加征可能显著提高数据中心投资成本，降低美国在AI 投资方面的竞争力。根据SIA 分析显示，半导体关税增加1%，预计导致晶圆厂建设总成本增加0.64%;每片芯片价格上涨1美元，包含嵌入式半导体的产品价格将不得不上涨3美元以维持利润。关税还可能推高美国武器系统中微电子零组件的成本，并将研发资金转移，损害美国的技术优势。　　高通则警告称，任何仓促的行动都可能危及美国的领导地位，何针对美国公司的报复行动都可能威胁到美国在全球半导体领域的领导地位。特别是如果“外国通过共同努力从其产品中消除美国成分来应对增加的关税”。　　总体来看，如果特朗普政府接下来将对半导体加征高达25%～100%的关税，势必将会进一步扰乱全球半导体供应链，迫使众多的半导体厂商为了降低“半导体关税”影响，开始寻找其他供应来源进行替代，或被迫开始在美国制造。不过，即便是选择在美国进行半导体制造，仍将面临各种半导体材料和设备的进口关税所带来的高昂的成本。　　对于具体厂商影响来看，目前全球仅有台积电、三星和英特尔具备尖端制程芯片制造能力，台积电和三星虽有在美国建厂，但目前产能非常有限，主要产能还是集中在亚洲地区，虽然出口至美国可能将面临高额关税，但是短期内客户并没有更多的选择。相比之下，目前主要产能集中在美国、并且正在发展晶圆代工业务的英特尔可能将会直接受益。而在成熟制程方面，基于中国大陆制造的成熟制程芯片的终端产品进入美国市场可能也将面临高额关税，格芯、德州仪器等在美国本土拥有产能的成熟制程芯片制造商可能将会受益。

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关税

发布时间：2025-07-10 15:06 阅读量：401 继续阅读>>

华大九天：终止收购芯和<span style='color:red'>半导体</span>！

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华大九天：终止收购芯和半导体！

　　7月9日，华大九天披露公告称，终止筹划对芯和半导体科技(上海)股份有限公司的收购。　　今年3月28日，华大九天与包括上海卓和信息咨询有限公司在内的35名交易对方签署《北京华大九天科技股份有限公司发行股份及支付现金购买资产框架协议》，拟以发行股份及支付现金的方式收购芯和半导体科技(上海)股份有限公司100%股份并募集配套资金。本次交易预计构成重大资产重组，构成关联交易，不构成重组上市。　　自筹划本次交易以来，华大九天严格按照中国证监会及深圳证券交易所的有关规定，积极推进本次重大资产重组的各项工作，组织各相关方就本次交易方案进行论证商讨，组织中介机构对标的公司开展尽职调查工作，与交易相关方就本次交易核心条款进行了谈判沟通。　　华大九天表示，鉴于交易各方在对本次交易进行协商和谈判后，未就交易核心条款达成一致，为切实维护公司及全体股东利益，经公司充分审慎研究及与交易各方友好协商，公司及交易各方拟终止本次交易，并授权管理层办理本次终止相关事宜。　　原先对于此前宣布的这项收购，业界认为，有助于丰富华大九天的产品线，进一步提升华大九天在国产EDA市场的龙头地位，并增强其与国际EDA大厂的竞争力。　　芯和半导体成立于2019年，注册资本1亿元，是一家从事EDA软件工具研发的高新技术企业，以“仿真驱动设计”的理念提供从芯片、封装、模组、PCB板级、互连到整机系统的全栈集成系统EDA解决方案。　　如若交易完成，华大九天将成为国内唯一覆盖模拟设计—数字设计—制造—封装全流程的EDA企业，在射频、SiP(系统级封装)等细分领域形成差异化竞争力。　　并购整合一直是EDA企业做大做强的必由之路。华大九天自上市以来在业内频频出手，先后收购了芯达芯片科技有限公司，投资了上海阿卡思电子技术有限公司、无锡亚科鸿禹电子有限公司、珠海市睿晶聚源科技有限公司、苏州菲斯力芯软件有限公司等多家企业。　　今年3月4日，华大九天发布公告称，设立5亿元规模的产业基金，投资EDA领域，华大九天作为有限合伙人拟以自有资金认缴1亿元，继续通过资本整合策略，布局EDA产业链上下游。　　不过，从华大九天终止收购芯和半导体的这笔交易看，国内EDA企业的整合仍处在初级探索阶段，未来在资金实力、技术协同等方面还有较大的发展空间。

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华大九天

发布时间：2025-07-10 13:47 阅读量：473 继续阅读>>

类比<span style='color:red'>半导体</span>：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

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类比半导体：全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

　　新品发布　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012，单通道低内阻1.2mΩ产品。自类比第一代高边开关芯片HD7XXX系列2023年面世以来，该系列产品已经在国内外知名Tier1和车厂大批量出货，高边开关系列产品累计出货量已突破千万颗。为解决国产1-4mΩ低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险，类比半导体联合上下游供应链历经两年解决工艺，设计和封装等关键技术难点，实现高边开关芯片产品国产化新的进步。　　HD80012系列产品特性　　内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需外围增加TVS和防反二极管，减少系统电路复杂度和降低成本　　工艺，设计，封装三方联合攻关，实现比肩国际厂商高边芯片产品的散热能力　　多重保护功能和CS负载诊断，快速过流保护和动态过温保护专利技术　　高精度的负载电流采样，高阶温度补偿专利技术，实现低温漂的负载电流采样

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类比半导体

发布时间：2025-06-27 09:47 阅读量：214 继续阅读>>

村田推出首款支持引线键合的功率<span style='color:red'>半导体</span>用树脂模塑结构NTC热敏电阻，成功实现商品化

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村田推出首款支持引线键合的功率半导体用树脂模塑结构NTC热敏电阻，成功实现商品化

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)宣布，将功率半导体用NTC热敏电阻“FTI系列”商品化。该系列产品是村田首款※1采用树脂模塑结构且支持引线键合※2的NTC热敏电阻，通过设置在功率半导体附近，可以准确测量其温度。此外，其工作温度确保范围高达-55°C至175°C，适合用于产生大量热量的汽车动力总成用途※3。　　※1 根据村田内部调查，截至2025年4月。　　※2 引线键合是一种通过细金属线将半导体芯片与电极连接的封装技术。　　※3 包括逆变器、DC-DC转换器和车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。　　近年来，随着汽车电子化和高性能化不断加速，高输出、高效率的功率半导体需求日益增长。然而，由于其工作时产生大量热量，过热导致器件损坏的风险成为一大技术挑战。为此，行业普遍采用在功率半导体附近配置热敏电阻以实时监测温度，并通过冷却系统或功率限制来保障安全运行。　　然而，传统热敏电阻难以承受半导体焊盘上的高电压，无法直接贴装，通常需设置于较远位置，从而影响温度测量的准确性。这不仅降低了热管理的响应效率，还限制了功率半导体的性能发挥。　　为了解决上述难题，村田开发了本款全新NTC热敏电阻产品。其采用树脂模塑结构，具备优异的绝缘性，可直接贴装于功率半导体焊盘上。同时，支持引线键合的设计，使其能够与焊盘实现高可靠连接，从而实现对半导体器件的精确温度监控。其-55°C至+175°C的宽广工作温度范围，也达到了行业领先水平，可在高温环境中实现稳定运行。　　此外，该产品有助于减少功率半导体使用数量，在确保系统安全性的前提下，进一步降低贴装面积与系统成本，提升整体系统的设计灵活性。　　为响应日益多元化的市场需求，村田未来将进一步丰富FTI系列热敏电阻的电阻值阵容，并推进支持银烧结贴装等多种安装方式的产品开发，持续为电动汽车等高集成半导体系统的技术升级提供支持。　　产品特点　　1. 村田首款支持引线键合的树脂模塑结构热敏电阻可直接与功率半导体共用焊盘，精准测量其温度，提升温控效率。　　2. 支持最高175°C的工作温度，稳定性卓越采用高可靠性电极连接技术，工作温度范围宽广，性能稳定，适应严苛使用环境。　　(产品顶面、底面照片)　　(支持引线键合的示意图)　　产品规格

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村田

发布时间：2025-06-26 14:15 阅读量：282 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>车规多通道可配置开关——L9026

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意法半导体车规多通道可配置开关——L9026

　　随着汽车电子化与集成度不断提升，车内负载种类和数量持续增加，对小电流驱动的需求日益显著。小电流驱动器正是用于精确控制车灯、LED、继电器等各类小负载的关键开关器件。　　意法半导体推出的车规级L9026八通道智能驱动芯片，提供6路可配置高低边输出和2路固定高边输出，支持两种紧凑封装，灵活适配空间受限的汽车应用。其集成的跛行回家模式与额外故障保护输入引脚，提升了系统在控制器故障等情况下的安全性与可靠性。　　L9026应用场景与产品特性　　L9026广泛适用于车身电子、空调控制、燃油喷射系统等汽车设备，能够驱动多个继电器、电磁阀、LED灯具和阻性负载，并且支持驱动阻性、容性和感性负载。　　L9026主要功能特点充分体现了它所具备的智能化特性：　　✦ 包含2路高边驱动和6路高低边可配驱动，客户可以根据自己平台上负载的不同而灵活配置高低边，方便平台化设计;　　✦ 支持多种驱动输出模式(LED模式/灯泡inrush模式/普通驱动模式/特定频率PWM输出模式等)，以满足不同特性负载的需求;　　✦ 具备16位SPI接口，支持菊花链连接，与8位SPI设备兼容;　　✦ 支持3.3V/5V两种不同逻辑电平，基本兼容所有单片机的类型;　　✦ 提供多种诊断功能(Over Load、Over temperature、Open Load)，更好地保护芯片及系统的安全;　　✦ 支持Limp home 模式(2路)，满足特定系统应用对Limp home的要求;　　✦ 兼容ISO26262，能够最高支持系统功能安全等级至ASIL B，满足相关领域对功能安全的要求。　　其他特性还包括：　　✦ 最大导通内阻1.5ohm@ Tj=150C;　　✦ 支持Cranking时最低VBATT电压到3V;　　✦ 内置2个PWM发生器可以产生特定频率的PWM信号输出;　　✦ 钳位电压45V(低边配置时)/-16V(高边配置时);　　✦ 12uA低静态电流。　　▲L9026功能框图　　*L9026-B03N-TR(VFQFPN32封装)的额外引脚：NRES引脚用于将内部寄存器重置为默认值，DIS引脚用于禁用所有通道。　　支持工具　　为了让用户更方便快捷地进行系统开发，意法半导体还提供丰富的开发支持工具：　　✦ 产品手册与应用手册;　　✦ STEVAL-L9026评估板与STSW-L9026GUI;　　✦ Safety Manual/FMEDA安全手册等功能安全相关文档(已和ST签署有效NDA的客户可提供)。　　　意法半导体车规多通道可配置开关产品路线　　意法半导体的高低侧开关主要采用ST BCD专有技术，通常通过SPI串行有线接口接受控制，具有过热、过流、过压和静电放电(ESD)保护功能，设计用于在-40°C至+150°C的温度范围内工作。　　意法半导体可配置的高低侧开关可提供丰富的多通道器件选择，主要用于驱动汽车级负载，且这些器件具有出色的灵活性和可配置性，常与其他意法半导体汽车产品搭配使用。

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意法半导体

发布时间：2025-06-20 13:21 阅读量：303 继续阅读>>

全球首条超宽禁带<span style='color:red'>半导体</span>高频滤波芯片生产线即将试生产

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全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产

　　近日，全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产，标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破，对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。　　该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设，总投资16.8亿元，占地136亩，专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV)，具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用，将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题，填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。　　晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域，拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜，避免了昂贵铱坩埚的使用，将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主，还为芯片量产奠定了成本优势。　　高频滤波器是5G通信中的核心器件，直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，将打破海外企业在这一领域的垄断，推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。　　当前，全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料，有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先，摆脱对传统硅基芯片的依赖。　　随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权，推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。　　全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产，是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功，不仅将填补国内技术空白，还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来，随着技术的不断成熟和产业链的完善，中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。

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发布时间：2025-06-18 11:51 阅读量：293 继续阅读>>

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意法半导体全新一代主动保险丝熔断驱动器——L9965P

　　L9965P产品背景　　随着汽车电子电气架构向智能化和安全化方向的不断发展，传统熔断器的局限性日益凸显：无法通过软件实现精准控制，也无法根据故障类型精确判断断路时机。此外，随着主机厂平台化设计逐渐成为主流，传统熔断器难以根据不同车型预设过流阈值，无法满足平台化应用的需求。因此，为了解决上述客户使用中的痛点，熔断器厂商开发了智能可控的Pyro-Fuse(主动式熔断器)，现已被广泛应用。　　与此同时，新能源汽车在续航里程和补能效率上的激烈竞争，推动了更高容量、更高电压电池包的应用，这对动力电池管理系统的安全性提出了更高要求。然而，传统熔断器以及基于高低边驱动的主动保险丝系统已难以满足日益严格的功能安全要求。　　在此背景下，Pyro-Fuse驱动器L9965P应运而生，凭借其卓越性能，已广泛应用于国内主机厂及Tier1的相关项目中，为车辆安全提供了更加可靠的保障。　　L9965P的主要应用场景举例　　BMS(电池管理系统)　　▲L9965P在BMS系统中的应用　　电池包过流场景：　　在电池系统发生过流或短路故障时，Pyro-Fuse能够根据BMS的检测信号通过L9965P快速点爆，避免高电流对电池包和其他电气系统造成不可逆损伤。　　车辆碰撞场景：　　当车辆发生碰撞时，为有效预防可能引发的起火爆燃事故对人体造成的二次伤害，并保护电池包免受不可逆的损害，主动保险丝能够根据有效碰撞信号快速切断高压回路。对比传统被动保险丝，Pyro-Fuse解决了被动保险丝在碰撞下无法零电流切断的痛点。　　电驱动系统　　▲L9965P电驱动系统中的应用　　在新能源汽车中，主驱系统(包括电池、电机和电控系统)是整车动力输出的核心部分，其安全性和可靠性直接关系到车辆的性能和用户的安全。随着新能源汽车向高电压、大功率方向发展，主驱系统面临更高的安全挑战。Pyro-Fuse作为一种高效的电路保护装置，已逐渐成为主驱系统的重要一环，在故障工况下可以切断三相电机中的两相，防止次生灾害发生。　　以下是Pyro-Fuse在新能源汽车主驱系统中的应用举例：在四驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在某一电机(前或后驱)系统发生故障时进行断开操作，并继续保持平稳运行;在两驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在碰撞发生或驱动系统异常时，切断主驱回路，防止非预期二次伤害——如碰撞后，车轮惯性会带动电机旋转，产生不利的反电动势高压。　　面对以上工况，L9965P可以在主驱系统异常时继续自主工作，保证电机驱动回路被切断，避免造成进一步损害，提高主驱系统的安全冗余性能。　　L9965P产品性能概览　　❖ AEC-Q100车规级产品　　❖ 深度睡眠模式(极低功耗<10uA)　　❖ 支持三种唤醒模式　　❖ 内部集成Boost升压模块用于外部储能电容充电，升压值可配　　❖ 硬件信号FENL、FENH兼容PWM模式(频率16kHz和125kHz可配)及高/低电平模式;软件信号支持SPI(24bit)独立点爆　　❖ 点爆路径支持请求和自动两种诊断方式　　❖ 最低工作电压支持6V　　❖ 可选的点爆配置——电流及持续时间，与LV-16和USCAR-28认证的高温保险丝相兼容　　❖ 内置NVM模块存储，支持诊断/点爆等信息存储，可实现无MCU运行　　❖ 可配置的连续点爆功能(Auto-retry)　　❖ 兼容配套L9965C等智能接线盒(BJB)高压采集芯片　　❖ 符合ISO26262开发流程，功能安全等级支持ASIL-D　　L9965P主要特点优势　　▲L9965P系统应用框图举例　　❖ 多种部署电流配置组合，匹配不同规格Pyro-Fuse的点爆要求　　❖ 内部集成Boost模块，有助减小储能电容容量需求，从而优化系统成本　　❖ 独立的软硬件点爆策略，满足系统的不同点爆需求。硬件点爆模式下电平或PWM模式可选，软件SPI点爆　　❖ 可选的多次自动点爆重试功能(Auto-retry)，提高点爆的安全冗余　　❖ 支持手动/自动诊断方式，确保点爆功能的正确实施，其中自动诊断可在无MCU时自主进行，实现不同故障的检测和判断　　❖ TQFP32和QFN32两种封装，符合优化面积的小型化设计　　意法半导体电池管理系统产品路线　　意法半导体拥有丰富的BMS系列产品，其功能包含有如：模拟前端采样芯片，高压采集智能接线盒芯片、通讯桥接芯片、以及主动保险丝驱动熔断器芯片，它们全面覆盖汽车级、工业级、高压应用及低压应用。汽车级L9963E、L9963T及工业级L99BM114、L99BM1T、L9961目前已在市场中大批量产，目前最新一代的车规级L9965系列产品也已全部量产面市。在未来规划中，意法半导体将进一步加强BMS领域的投入，致力于更加多样化的产品路线拓展，如多串数模拟前端采样芯片并集成电化学阻抗图谱检测功能、48V锂电应用等。

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发布时间：2025-06-16 10:05 阅读量：513 继续阅读>>

龙腾<span style='color:red'>半导体</span>：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

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龙腾半导体：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

　　1.产品概述　　本款产品采用新一代超结技术，专为汽车电子和高功率场景打造。在质量与可靠性方面，产品严格遵循 AEC - Q101 车规级可靠性认证标准以及 IATF 16949 汽车质量管理体系认证要求。凭借低导通电阻与高功率密度设计，确保在极端工况下稳定运行，为高效电机系统提供核心动力支持。封装形式产品可靠性测试报告　　2.核心特性　　导通损耗低：低阻值设计，减少发热并提升能效;　　开关损耗低：低栅极电荷，显著降低驱动损耗;　　功率密度高：卓越的热设计，适用于紧凑型高效能系统。　　3.产品优势　　车规品质：双重认证确保产品符合汽车行业严苛标准，可靠性与安全性行业先进;　　高效节能：通过降低RDS(on)与Qg，系统能耗显著降低的同时提升了运行性能;　　高可靠性：严苛测试保障恶劣环境下的长期稳定性。　　4.典型应用　　汽车领域：48V/12V DC/DC转换器、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS);　　工业场景：工业开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS);　　新能源：光伏逆变器、储能系统解决方案。

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龙腾半导体

发布时间：2025-06-16 09:42 阅读量：529 继续阅读>>

类比<span style='color:red'>半导体</span>推出支持-0.3V-40V共模的车规级双向通用电流检测放大器

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类比半导体推出支持-0.3V-40V共模的车规级双向通用电流检测放大器

　　类比半导体(AnalogySemi)推出支持高侧或者低侧通用电流检测放大器，其通常用于优化系统精密电流测量或者电流环路控制电路。该系列产品供电电压范围2.7V-5.5V，-0.3V-40V输入共模电压范围可以更好的支持12V汽车应用。此外CSA52xQ可以提供4种固定增益，包括：20V/V,50V/V, 100V/V和200V/V。　　CSA521xQ支持通过REF引脚实现双向电流检测功能，在增益为20倍时，其带宽可达350kHz，压摆率为0.8V/us。在精度方面，CSA52x的Vos最大值为±80uV,温漂典型值为0.02uV/℃。在增益误差方面，增益误差典型值为±0.1%，最大值为±1.2%，温漂典型值为3ppm/℃, 最大值为13ppm/℃。　　封装支持方面　　CSA52xQ系列兼容市场主流封装，包括SC70-6和SOT23-6两种封装。　　CSA52xQ系列产品特征　　• 供电电压范围：2.7V-5.5V　　• 宽共模电压输入范围：-0.3V–40V　　• 4种增益：20/50/100/200V/V　　• 带宽：350kHz @20V/V　　• 低噪声：80nV/√Hz　　• 超高共模抑制比：140dB min，155dB typ　　• 低增益误差：全温±0.1% typ,±1.2% Max　　• 低增益误差温漂: 3ppm/℃ typ,13ppm/℃ max　　• 低偏移电压： ±80uV Max　　• 低偏移电压温漂：±0.2uV/℃ Max　　• 低静态电流：190uA typ　　典型应用　　OBC(ON-BOARD CHARGER)　　BMS低边电流检测　　智能配电盒

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发布时间：2025-06-13 16:15 阅读量：264 继续阅读>>

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率<span style='color:red'>半导体</span>的仿真速度实现质的飞跃

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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。

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ROHM

发布时间：2025-06-10 15:57 阅读量：368 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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